protocol_standard · 5 menciones
Samsung ha detallado en Hot Chips 2026 su hoja de ruta para sacar partido al espacio disponible en el die base de las memorias HBM4 y HBM4E, fabricadas ahora en un proceso lógico de 4 nm en lugar de un nodo DRAM. El salto a lógica reduce consumo y libera área que, al estar limitada por el tamaño del
Sandisk y SK Hynix han finalizado la primera especificación técnica de High Bandwidth Flash (HBF), un nuevo tipo de memoria para aceleradores de inteligencia artificial, y la han publicado dentro del Open Compute Project (OCP). HBF utiliza memoria NAND Flash no volátil en lugar del DRAM volátil del
Un desarrollador experimentado afirma que, por primera vez, ya no elige su modelo de IA principal por inteligencia bruta, sino por velocidad de respuesta. Considera que los modelos actuales en el nivel de Opus 4.6 ya son "suficientemente inteligentes" para tareas cotidianas como programar, investiga
El proyecto Memory Prices, elaborado por David Shim dentro del Stanford DAM Project, ofrece una visualización interactiva de la evolución histórica del coste por gigabyte de los principales tipos de memoria utilizados en informática: DRAM, NAND flash y memoria de alto ancho de banda (HBM). Los datos
SK hynix comenzó el 18 de junio de 2026 el envío de muestras de su nuevo HBM4E de 12 capas a grandes clientes del sector de aceleradores de inteligencia artificial, entre los que figuran NVIDIA, AMD y Google. Cada pila ofrece 48 GB de capacidad y alcanza una velocidad de transferencia de hasta 16 Gb