Sandisk y SK Hynix han finalizado la primera especificación técnica de High Bandwidth Flash (HBF), un nuevo tipo de memoria para aceleradores de inteligencia artificial, y la han publicado dentro del Open Compute Project (OCP). HBF utiliza memoria NAND Flash no volátil en lugar del DRAM volátil del actual High Bandwidth Memory (HBM), lo que permite capacidades muy superiores: hasta 512 GBytes por pila frente a los 48 GBytes del HBM4. La especificación contempla tres niveles de velocidad entre 400 GBytes/s y 3 TBytes/s, y cuatro pilas HBF en un acelerador superarían los 10 TBytes/s, por encima del tope de 3,3 TBytes/s del HBM4. El alto rendimiento se logra mediante una intensa paralelización y una mayor lógica de control. Cada chip HBF integra hasta 16 die NAND apilados, con lo que una pila máxima puede superar las 5.000 capas de memoria. La conexión con otros chips se realiza mediante el estándar abierto UCIe. HBF no sustituye a HBM: SK Hynix lo plantea como un nivel intermedio entre la memoria del acelerador y los SSD del centro de datos, mientras que Sandisk, que solo fabrica NAND y no DRAM, lo presenta como el nuevo estándar de referencia para IA, aunque también reconoce la coexistencia. Sandisk introdujo la idea de HBF en febrero de 2025; SK Hynix se sumó en agosto de ese año y en febrero de 2026 formalizaron un consorcio al que se han incorporado Google y la startup de chips de IA Tenstorrent. Aún pasarán varios años antes de que aparezcan GPUs u otros aceleradores equipados con HBF.
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