SK hynix comenzó el 18 de junio de 2026 el envío de muestras de su nuevo HBM4E de 12 capas a grandes clientes del sector de aceleradores de inteligencia artificial, entre los que figuran NVIDIA, AMD y Google. Cada pila ofrece 48 GB de capacidad y alcanza una velocidad de transferencia de hasta 16 Gbit/s por pin, con una mejora de eficiencia energética superior al 20 % respecto a la generación HBM4 anterior, según datos del fabricante. La memoria apilada utiliza una versión avanzada del encapsulado MR-MUF, que reduce la resistencia térmica un 17 % frente a HBM4.
El hito marca el inicio de la fase de cualificación por parte de los desarrolladores de chips, previa a una producción en serie prevista a partir de 2027. SK hynix no ha revelado los nombres de los destinatarios ni ha anunciado una fecha concreta para el inicio de la fabricación en masa.
Samsung se había adelantado aproximadamente tres semanas, al anunciar el 29 de mayo de 2026 el envío de sus propias muestras de HBM4E de 12 capas con especificaciones equivalentes. SK hynix, considerado el principal socio de NVIDIA en HBM y reciente firmante de un acuerdo plurianual con el fabricante de GPUs, busca defender su posición frente a Samsung y al empuje de Micron.