Samsung Electronics presentó en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrada en California, sus primeras maquetas de dos arquitecturas de memoria 3D de nueva generación: zHBM y zNAND-O. La tecnológica busca así reforzar su posición en el mercado de inteligencia artificial, donde la demanda de procesamiento de datos a alta velocidad crece con fuerza.
La tecnología zHBM apila verticalmente la memoria de alto ancho de banda (HBM) sobre los aceleradores de IA (xPUs) a lo largo del eje z, reduciendo la distancia que recorren los datos entre memoria y procesador. Según Samsung, esta arquitectura multiplica por ocho el rendimiento de procesamiento de datos frente a la HBM de octava generación (HBM5) y triplica la eficiencia energética por vatio, a la vez que reduce la resistencia térmica más de un 50 %. El diseño permite además incorporar bloques de propiedad intelectual semiconductora personalizables en una capa intermedia.
Junto a zHBM, la compañía mostró zNAND-O, una familia de flash NAND de alto rendimiento orientada a aplicaciones de IA en dispositivo, con configuraciones de cuatro y ocho capas y una estructura similar a la tecnología HBF que desarrollan SK Hynix y Sandisk. Samsung también exhibió su tecnología V10 BV-NAND de más de 400 capas, que eleva la densidad un 58 % respecto a la generación V9, y prototipos de HBM4E, HBM5 con bloques de disipación térmica y el módulo LPDDR5X-PIM, descrito como el primero del mundo en integrar computación en memoria sobre DRAM de bajo consumo.