ASML y ZEISS han confirmado que su tecnología Hyper-NA, diseñada para superar las limitaciones de la litografía con luz ultravioleta extrema (EUV), podría estar lista para su implementación industrial en aproximadamente diez años. Este avance, detallado en un estudio científico revisado por pares publicado por Reuters, busca mejorar la resolución de los circuitos integrados mediante el aumento de la apertura numérica, un parámetro que actualmente se sitúa en 0,55 y que la nueva propuesta aspira a alcanzar al menos 0,75. Esta mejora permitiría reducir el half-pitch de los patrones de unos 8 a unos 5 nanómetros, permitiendo la fabricación de chips más pequeños y eficientes.
A diferencia de la generación High-NA, ya utilizada por Intel en procesadores Panther Lake y por SK Hynix en memorias DRAM, Hyper-NA mantiene la arquitectura actual de espejos de precisión y la longitud de onda de 13,5 nanómetros, reutilizando la fuente de luz existente. El equipo resultante sería apenas más grande que un autobús de dos pisos. Sin embargo, el estudio advierte de desafíos técnicos significativos, como la reducción de la profundidad de foco y las exigencias de los materiales sensibles a la luz. Aunque la estrategia de mejorar la resolución sin cambiar la fuente de luz es práctica, los autores señalan que para avanzar más allá, probablemente será necesario utilizar luz con una longitud de onda menor, un área aún en investigación académica. Por ahora, ASML no ha comprometido la fabricación comercial de estos equipos, manteniendo la transición tecnológica gradual.