Intel ha superado el millón de obleas procesadas con sus máquinas de fotolitografía ultravioleta extremo de alta apertura (High-NA) de ASML, tras más de dos años y medio trabajando con esta tecnología. El hito incluye obleas usadas en instalación, certificación, I+D y producción, no solo fabricación final. La litografía High-NA permite mayor densidad de transistores, pero presenta limitaciones para chips grandes: la óptica anamórfica reduce el campo de exposición a 26 x 16,5 mm frente a los 26 x 33 mm de la litografía UVE convencional, lo que obliga a recurrir a la técnica de stitching o a desarrollar máscaras de 6 x 12 pulgadas, en lo que Intel ya está trabajando.
TSMC, en cambio, ha confirmado oficialmente que no adoptará la tecnología High-NA hasta 2030. El motivo principal es económico: cada máquina cuesta unos 350 millones de euros y una fábrica avanzada requiere decenas de ellas. La compañía taiwanesa prefiere optimizar su litografía UVE tradicional y posponer esta inversión. Para 2029, TSMC prevé tener listas las technologies A12 y A13, derivadas de su A14 de 1,4 nm, que serán sus primeras technologies comerciales de 1,2 y 1,3 nm con transistores GAA de segunda generación y tecnología NanoFlex Pro. Intel ya prueba High-NA en producción; TSMC esperará a que el coste se justifique.