Samsung ha pospuesto dos años el inicio de la producción en masa de su nodo de 1,4 nanómetros, que ahora sitúa en 2029 en lugar del calendario original de 2027. El cambio, confirmado por ChangMin Park, vicepresidente de tecnología de la compañía, durante la conferencia Next-Generation Lithography + Patterning 2026, responde a que la litografía High-NA EUV —la tecnología de ASML que iba a permitir imprimir circuitos a esa escala— todavía no tiene la madurez suficiente para fabricarse en serie. Park explicó que Samsung prefiere aplicar esa litografía a partir del nodo de 1 nm, previsto para 2030.
La decisión supone una reorientación estratégica de la división de foundry del grupo surcoreano, que atraviesa dificultades para ganar cuota frente a TSMC, dominador del mercado de chips avanzados y proveedor del A20 Pro de Apple con tecnología de 2 nm. Samsung, que ya fabrica el Exynos 2600 para el Galaxy Z Flip 8 con ese mismo nodo, Priorizará ahora aumentar el rendimiento por oblea y la capacidad de producción en 2 nm antes de experimentar con saltos más avanzados. El movimiento coincide con el avance de SMIC en China y con el récord experimental de IBM por debajo del nanómetro, un entorno en el que llegar primero al nodo más pequeño ya no basta: hace falta colocar producción en el mercado.