La memoria de burbuja es un tipo de memoria informática no volátil que almacena un bit de información en cada una de las pequeñas zonas magnetizadas, llamadas burbujas o dominios, que se forman en una fina lámina de material magnético. Estas burbujas se desplazan por pistas paralelas bajo la acción de un campo magnético externo, se leen al hacerlas pasar por el borde de la lámina mediante un sensor magnético convencional y se reescriben en el extremo opuesto para mantener un ciclo continuo de datos. En la práctica, su funcionamiento recuerda al de los tambores magnéticos y a la memoria de línea de retardo.
La tecnología surgió en la década de 1970 como una alternativa prometedora: ofrecía un rendimiento próximo al de la memoria de núcleos, una densidad similar a la de los discos duros y la ausencia de partes móviles, lo que llevó a muchos a considerarla candidata a memoria universal. La llegada de los chips de memoria semiconductora a principios de los años setenta la relegó al segmento lento del mercado, y las grandes mejoras en capacidad de los discos duros a inicios de los ochenta la volvieron poco competitiva en precio para almacenamiento masivo.
Su inventor principal, Andrew Bobeck, se apoyó en su experiencia previa con la memoria de núcleos y la memoria twistor en los Laboratorios Bell. Investigando con películas finas de permalloy y ortoferrita, descubrió que los dominios magnéticos podían contraerse hasta formar pequeñas burbujas estables, lo que abría la puerta a densidades de almacenamiento muy elevadas. La memoria de burbuja se utilizó durante los años setenta y ochenta en aplicaciones donde la ausencia de piezas mecánicas resultaba ventajosa por resistencia a golpes o mantenimiento, pero la irrupción del almacenamiento flash a finales de los ochenta la hizo desaparecer por completo.