El Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) ha logrado integrar experimentalmente transistores de tipo Gate-All-Around (GAA) con nanosheets apiladas utilizando litografía de ultravioleta profundo (UVP). Este hito, revelado por DigiTimes, ofrece a China una vía alternativa para avanzar hacia los nodos de 3 nanómetros sin depender de la litografía de ultravioleta extremo (UVE), tecnología que le está prohibida por las sanciones de Estados Unidos y Países Bajos. Aunque el país no ha logrado fabricar chips de 3 nm completos con esta metodología, el desarrollo demuestra que la arquitectura GAA puede compensar las limitaciones de la litografía UVP, que opera con luz de 193 nm frente a los 13,5 nm de la UVE. Esta transición es crucial para los fabricantes chinos, ya que permite reducir su dependencia de equipos de ASML y de las empresas locales como Shanghai Yuliangsheng Technology, que ya producen equipos UVP. La adopción de GAA ayuda a superar las limitaciones de los transistores FinFET y reduce la complejidad de los procesos de multiple patterning, acercando a China a la competencia de TSMC, Samsung e Intel, que han implementado estas tecnologías en sus procesos de 2 nm y 3 nm respectivamente.
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