Samsung y SK hynix están planeando una gran modernización de sus fábricas en China para frenar el ascenso de Yangtze Memory Technologies (YMTC) en el mercado de chips NAND Flash. Según datos de Omdia, YMTC alcanzó el 38,5% de cuota de mercado en China en el segundo trimestre de 2026, superando a sus competidores surcoreanos, que se situaron en el 33,5% y el 17% respectivamente. Esta tendencia ha obligado a las dos empresas a actualizar sus capacidades de fabricación para competir con los chips de YMTC, que ya producen memorias de hasta 294 capas y aspira a superar las 300.
La planta de Samsung en Xi'an, responsable del 40% de su capacidad global, busca fabricar chips NAND V9 de 286 capas y aumentar su producción a 40.000 obleas mensuales para diciembre de 2027. Por su parte, SK hynix en Dalian aspira a producir chips de 240 capas y, posteriormente, más de 300. Sin embargo, este proyecto enfrenta un obstáculo crítico: las sanciones impuestas por Estados Unidos a la exportación de equipos de litografía avanzada. Estas restricciones dificultan la instalación de las máquinas necesarias para aumentar el número de capas, obligando a las compañías a obtener licencias específicas. Esta situación crea una paradoja estratégica: mientras EE.UU. intenta frenar el desarrollo de la industria china, sus propias sanciones impiden a Samsung y SK hynix modernizar sus instalaciones, poniendo en riesgo su competitividad global frente a un competidor chino que avanza rápidamente.