Intel y SoftBank apuestan por nueva memoria Z-Angle

Intel y la subsidiaria de SoftBank, SAIMEMORY, están colaborando en el desarrollo de Z-Angle Memory (ZAM), una tecnología de memoria DRAM avanzada que podría reemplazar a la actual High-Bandwidth Memory (HBM) en el futuro. ZAM, que utiliza una arquitectura de apilamiento vertical, promete hasta tres veces la capacidad y mayor ancho de banda que HBM, a la vez que reduce el consumo de energía y los costos. El proyecto, impulsado por la iniciativa Advanced Memory Technology (AMT) del Departamento de Energía de EE. UU. y la Administración Nacional de Seguridad Nuclear (NNSA), se encuentra en su tercera fase, enfocándose en la comercialización. La colaboración se basa en el trabajo previo de Intel en el programa Next Generation DRAM Bonding (NGDB) y ha recibido una inversión de 19 millones de dólares por parte de SoftBank. Se espera un prototipo de ZAM para 2027 y su comercialización para 2029. Aunque esta tecnología no aliviará la actual escasez de HBM, representa un avance significativo para las futuras generaciones de sistemas de inteligencia artificial y fortalece la colaboración tecnológica entre Estados Unidos y Japón, especialmente en el contexto de la misión Genesis del DOE.