Samsung comenzará la producción en serie de memorias Universal Flash Storage (UFS) 5.0 en el cuarto trimestre de 2026, según anunció la compañía surcoreana. El nuevo estándar multiplica por más de dos la velocidad de sus predecesores UFS 4.1: alcanza lecturas de hasta 10,8 GB/s y escrituras de hasta 9,5 GB/s, frente a los 4,3 GB/s máximos del estándar anterior.
El salto se apoya en interfaces de memoria más modernas, que mejoran la calidad de la señal y permiten doblar las tasas de transferencia. Samsung asegura además una mejora de eficiencia energética de hasta el 40 % por megabyte transferido, aunque el consumo pico del chip es mayor. Las nuevas memorias se ofrecerán en capacidades de hasta 1 TB y, gracias a un encapsulado un 16,7 % más pequeño (7,5 × 13 × 0,9 mm), dejarán más espacio en las placas de dispositivos compactos.
La UFS 5.0 está pensada para smartphones de gama alta, sistemas embebidos de precio elevado y automoción. El Galaxy S27, previsto para la primavera de 2027, se perfila como uno de los primeros candidatos a integrarla. Otros fabricantes, como Kioxia, también preparan sus propios chips UFS 5.0 y prevéen iniciar la producción en serie en el mismo plazo; SK Hynix suele estar entre los primeros en sumarse a los nuevos estándares de memoria.