Nanya Technology, el quinto mayor fabricante mundial de chips de memoria DRAM con una cuota de mercado del 2%, ha anunciado su mayor plan de inversión histórico: 16.000 millones de dólares para su planta Fab5A. El objetivo es dotar la fábrica de capacidad para producir chips DRAM de 10 nm (nodos 1b, 1c, 1d y 1e) mediante la instalación de equipos de litografía de ultravioleta extremo (EUV) de ASML. Esta expansión busca consolidar a la empresa taiwanesa como un actor clave para amortiguar la crisis de precios en el sector, actualmente dominada por Samsung, SK hynix, Micron y CXMT, que concentran el 97% del mercado global.
El contexto de esta inversión responde a la alta demanda de memorias HBM para centros de datos de inteligencia artificial, lo que ha disparado los precios. Nanya ya ha iniciado la producción piloto en el nodo 1c y está desarrollando el nodo 1d. Las primeras obleas de estos nodos avanzados estarán listas en la segunda mitad de 2027. La capacidad de fabricación de la compañía está en un crecimiento acelerado: se prevé que alcance las 30.000 obleas mensuales en 2028 y las 35.900 en 2029, antes de llegar a la producción final de 45.000 obleas al mes en Fab5A. El momento comercial de Nanya es favorable, con ingresos de 1.300 millones de dólares en julio, lo que representa un aumento interanual del 719,6%.