Nagare Labs, una empresa de semiconductores surgida del Instituto Tecnológico de Georgia, ha presentado Z2RAM, una nueva tecnología de memoria diseñada para mitigar la crisis actual de suministro de memorias de acceso aleatorio. La compañía, que ha recibido financiación liderada por Playground Global con el apoyo de Pat Gelsinger, exCEO de Intel, busca ofrecer una alternativa más eficiente frente a la escasez provocada por la alta demanda de infraestructura de inteligencia artificial.
Z2RAM combina las ventajas de la SRAM, la DRAM y la memoria flash NAND: ofrece velocidades similares a la SRAM, densidad comparable a la DRAM y escalabilidad similar a la NAND, pero con menor consumo de energía y un proceso de fabricación más sencillo. A diferencia de la DRAM convencional, que utiliza un transistor y un condensador para cada bit, Z2RAM emplea dos transistores, utilizando la capacitancia de puerta del segundo para almacenar la carga. Esto permite una lectura no destructiva, eliminando la necesidad de reescribir la celda tras cada lectura.
La tecnología se apila verticalmente, similar al diseño de las memorias HBM o las cachel 3D de AMD. Nagare afirma que su enfoque puede proporcionar más de cinco veces la densidad de bits de la SRAM manteniendo un ancho de banda comparable. Un módulo de 64 MB de SRAM podría alojar hasta 320 MB con Z2RAM en la misma superficie. Aunque la tecnología está en fase inicial, la empresa optimista cree que esta innovación es crucial para superar las limitaciones de ancho de banda y capacidad de producción que están estrangulando a la industria.