Jensen Huang predice que China tendrá litografía UVE propia para 2030

Jensen Huang, director general de Nvidia, ha afirmado que China desarrollará sus propias máquinas de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) para fabricar chips de 5 nm o menos no más allá de 2030. Esta predicción se basa en los recientes avances industriales y en dos proyectos estatales ambiciosos que buscan superar la dependencia de los equipos de ASML. A finales de julio, se reveló que una empresa china, probablemente Shanghai Yuliangsheng Technology, vinculada a Huawei, comenzó a fabricar en serie sus propias máquinas de litografía de ultravioleta profundo (UVP), un hito sin precedentes en la industria local. Además, China está impulsando el desarrollo de una máquina UVE híbrida liderada por Huawei, que utiliza una fuente de luz de tipo LDP (descarga inducida por láser) en lugar de LPP, permitiendo una implementación más sencilla y capaz de generar luz de 13,5 nm. Este prototipo, que combina ingeniería inversa sobre equipos de ASML con innovaciones chinas, podría producir los primeros circuitos integrados de prueba en 2028, con fabricación a gran escala prevista para 2030. Paralelamente, la Universidad Tsinghua y la Academia China de Ciencias persiguen generar esta radiación mediante un sincrotrón (HEPS) para producir chips avanzados sin depender de la infraestructura de litografía tradicional.