Un equipo de la Universidad de Xidian ha logrado superar los 10.000 millones de ciclos de escritura en memorias basadas en la estructura de wurtzita, un hito que elimina una restricción práctica clave para su adopción industrial. Este avance, publicado en la revista Science, demuestra que el material nitruro de aluminio y escandio (AlScN) puede mantener su integridad estructural mediante la confinar vacantes de nitrógeno en una superred de AlScN/AlN, además de aplicar un protocolo de recuperación dinámica. Aunque en 2018 Simon Fichtner demostró la ferroelectricidad del AlScN, la degradación por ciclos era un obstáculo insalvable hasta ahora. El trabajo de Ruiqing Wang, autor principal del estudio chino, resuelve este problema al limitar la migración de defectos, permitiendo una vida útil extremadamente larga. Este logro posiciona a China en la vanguardia de la investigación en memorias no volátiles, reduciendo su dependencia tecnológica de fabricantes surcoreanos y estadounidenses como SK hynix, Samsung y Micron, que dominan actualmente el mercado de memorias HBM para inteligencia artificial. Aunque la tecnología aún enfrenta desafíos en fabricación a gran escala y densidad, este avance experimental valida el potencial de las memorias wurtzita para competir con las actuales DRAM y NAND.
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