China prevé reducir su déficit de semiconductores avanzados del 92% en 2025 al 34% en 2035, según un informe de Goldman Sachs. La oferta china de obleas fabricadas con tecnología de 7 nm o más avanzada crecerá a una tasa anual compuesta del 46% entre 2025 y 2035, lo que permitirá al país producir 410.000 obleas mensuales en sus nodos de vanguardia frente a una demanda interna estimada de 619.000.
El plan depende de que SMIC, el mayor fabricante chino de circuitos integrados, pueda utilizar máquinas propias de fotolitografía por ultravioleta extremo (UVE) a finales de esta década. La estrategia actual se apoya en la técnica de multiple patterning, que ya permite a SMIC fabricar chips de 7 nm con equipos de ultravioleta profundo (UVP) de ASML, pero resulta poco viable más allá de los 5 nm.
Huawei coordina el desarrollo de una máquina UVE operativa en un laboratorio de alta seguridad de Shenzhen, con la participación del Instituto de Tecnología de Harbin para la fuente de luz, el Instituto de Óptica de Changchún para los sistemas ópticos y SMEE para la integración final. SiCarrier, respaldada por el Gobierno de Shenzhen, también participa. Aunque el Ejecutivo chino aspira a producir chips con esta tecnología en 2028, la mayoría de los analistas sitúa la fecha realista en 2030.