Frank Rohmund, director general de Zeiss, aseguró durante la conferencia SEMICON en Taiwán que las ópticas para fotolitografía de la compañía alemana superan en unos 15 años a las más avanzadas que China tiene en la actualidad. Rohmund vinculó su pronóstico a la extrema precisión que exigen los espejos utilizados en las máquinas de ultravioleta extremo (UVE), fabricados con molibdeno y silicio y pulidos capa por capa con iones de argón hasta un nivel subnanométrico.
Estas ópticas forman parte de los equipos UVE de alta apertura de ASML, que trasladan luz de 13,5 nanómetros desde la fuente hasta la máscara que define el patrón sobre la oblea de silicio. La longitud de onda fue elegida tras descartar alternativas de 11,4, 6,6 y 4,8 nanómetros por limitaciones de los materiales fotorresistentes, toxicidad del berilio o incompatibilidades químicas.
Según fuentes del sector, Huawei coordina en Shenzhen un prototipo de máquina UVE en el que participan el Instituto de Tecnología de Harbin (fuente de luz), el Instituto de Óptica de Changchún (sistemas ópticos), SMEE (integración) y SiCarrier. Aunque la óptica china no necesita aún la sofisticación de la de Zeiss, el Gobierno chino aspira a producir chips con esta tecnología en 2028, si bien analistas consultados lo consideran más realista en 2030.