CXMT, el principal fabricante chino de memorias DRAM, ha desarrollado una nueva arquitectura de transistores Vertical Surrounding Gate (VSG) para aumentar la densidad de almacenamiento y competir con SK hynix, Samsung y Micron. Esta innovación reduce el área de las celdas de memoria de 6F² a 4F², permitiendo integrar más unidades en el mismo silicio y mejorar la estabilidad del chip. La compañía ha incrementado su beneficio neto más de un 1.688% en un trimestre, firmó un contrato de 20.000 millones de yuanes con Tencent para servidores y alcanza una cuota global del 7,67%, convirtiéndose en el cuarto mayor fabricante mundial. Aunque la tecnología VSG promete reducir las fugas de corriente y mejorar el rendimiento, CXMT debe demostrar que su proceso de fabricación escala correctamente a gran volumen antes de que termine 2026, momento en el que planea introducir esta tecnología en sus módulos de memoria para servidores.
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