Un experimento casero demuestra que es posible obtener acción transistorizada con materiales cotidianos, reutilizando una fotocélula de sulfuro de cadmio como componente semiconductor. El montaje convierte una fotorresistencia comercial —adquirida hace años en Radio Shack— en un transistor FET de puerta aislada mediante un ingenio muy sencillo: una capa de cinta adhesiva sobre la cara del dispositivo hace las veces de dieléctrico, una gota de agua sirve como electrodo de puerta conductor en contacto íntimo con la cinta y un cable conectado al agua actúa como terminal de control.
El procedimiento exige oscuridad, ya que la luz satura la fotocélula; un tenue resquicio de iluminación, en cambio, mejora el rendimiento. La tensión de puerta se varió entre 75 y 175 V conmutable en polaridad, mientras que la polarización del canal se ajustó entre 9 y 175 V. La conmutación de polaridad produce cambios claros en la corriente I2, lo que confirma el comportamiento como FET de enriquecimiento-agotamiento: tensión positiva incrementa la corriente de drenador y tensión negativa la reduce.
El dispositivo exhibe una ganancia de potencia considerable gracias a la altísima impedancia de puerta —prácticamente infinita, limitada solo por la fuga de la cinta adhesiva—, aunque su ganancia de tensión es muy baja por los amplios excursiones de voltaje requeridos. Aplicando una onda en diente de sierra a la puerta, se obtuvo a la salida una forma de onda invertida respecto a la entrada, prueba adicional de la auténtica acción transistorizada. Por último, el autor ensambló un amplificador audible con el que, al tocar el terminal de entrada, se escucha con nitidez el zumbido de 60 Hz captado por el cuerpo, amplificándolo sobre un altavoz: un ejemplo práctico que corrobora el funcionamiento del transistor improvisado.